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High-Power Synchronous HBLED
Drivers with Rapid Current Pulsing
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
(V CC = 5V, V DD = V CC , T A = T J = -40°C to +125°C, unless otherwise noted. Typical values are at T A = +25°C.) (Note 1)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
OSCILLATOR
Switching Frequency Range
125
1500
kHz
R T = 500k ?
120
125
130
Switching Frequency
f SW
R T = 120k ?
495
521
547
kHz
R T = 39.9k ?
1515
1620
1725
Switching Frequency Accuracy
CLKOUT Phase Shift with
Respect to DH (Rising Edges)
120k ? < R T ≤ 500k ?
40k ? ≤ R T ≤ 120k ?
f SW = 125kHz, MODE connected to SGND
-5
-8
180
+5
+8
%
Degrees
CLKOUT Phase Shift with
Respect to DL (Rising Edges)
f SW = 125kHz, MODE connected to V CC
180
CLKOUT Output-Voltage Low
CLKOUT Output-Voltage High
SYNC Input High Pulse Width
SYNC Input Clock High Threshold
SYNC Input Clock Low Threshold
V OL
V OH
t SYNC
V SYNCH
V SYNCL
I SINK = 2mA
I SOURCE = 2mA
4.5
200
2
0.4
0.4
V
V
ns
V
V
SYNC Pullup Current
SYNC Power-Off Level
I SYNC_OUT
V SYNC_OFF
V RT/SYNC = 0V
250
500
0.4
μA
V
INDUCTOR CURRENT LIMIT
Average Current-Limit Threshold
Reverse Current-Limit Threshold
V CL
V CLR
CSP to CSN
CSP to CSN
26.4
27.5
-2.0
33.0
mV
mV
Cycle-by-Cycle Current Limit
Cycle-by-Cycle Overload
CSP to CSN
V CSP to V CSN = 75mV
60
260
mV
ns
CURRENT-SENSE AMPLIFIER
CSP to CSN Input Resistance
R CS
4
k ?
Common-Mode Range
Input Offset Voltage
Amplifier Voltage Gain
3dB Bandwidth
V CMR(CS)
V OS(CS)
A V(CS)
f 3dB
V IN = 7V to 28V
0
0.1
34.5
4
5.5
V
mV
V/V
MHz
CURRENT-ERROR AMPLIFIER (TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER)
Transconductance
Open-Loop Gain
g m
A VL(CE)
550
50
μS
dB
_______________________________________________________________________________________
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